每日新闻与评论

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    中兴通讯联合三大运营商共话“5G新生长”

    2021-06-15
    6月10日,“5G新生长 中兴通讯5G创新方案发布会”于北京召开。中兴通讯与运营商、行业伙伴和媒体齐聚一堂,共同探讨5G新生长之路,共话5G网络在能力、性能、效率的全方位提升策略。

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    高端麒麟处理器还在研发 消息称华为不惜一切保住海思团队

    2021-06-15
    在美国连续两年打压之后,华为的先进工艺芯片已经没有公司敢代工了,最新的5nm麒麟9000处理器已经绝版。然而华为并不打算放弃海思半导体,7000多人的团队依然在研发高端芯片。

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    高纯石英和碳化硅单晶硅一体化硅产业项目签约广东东源

    2021-06-15
    近日,广东东源县与华润水泥控股有限公司举行广东东源高纯石英和碳化硅单晶硅一体化硅产业项目框架协议签约仪式。

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    上海光机所计算光刻技术研究取得进展

    2021-06-15
    近日,中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室提出了一种基于虚拟边(Virtual Edge)与双采样率像素化掩模图形(Mask pixelation with two-phase sampling)的快速光学邻近效应修正技术(Optical proximity correction, OPC)。仿真结果表明该技术具有较高的修正效率。相关研究成果已发表在《Optics Express》(29(11), 17440-17463, 2021)。

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    成都人工智能计算中心项目正式奠基开工

    2021-06-15
    近日,成都人工智能计算中心项目正式奠基开工,首批15个生态伙伴签约入驻。与此同时,15个电子信息产业生态圈项目集中签约。

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    能源领域 5G 应用实施方案

    2021-06-15
    国家发改委6月11日消息,国家发改委、国家能源局等四部门近日联合印发《能源领域5G应用实施方案》。方案明确,未来3年至5年,围绕智能电厂、智能电网、智能煤矿、智能油气、综合能源、智能制造与建造等方面拓展一批5G典型应用场景,建设一批5G行业专网或虚拟专网,探索形成一批可复制、易推广的有竞争力的商业模式。

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    投资8亿元!两个人工智能项目落户武汉经开区

    2021-06-15
    6月11日“AI赋能 低碳江城”——2021人工智能助力武汉绿色发展大会在武汉会议中心举行。其中,智行者华中区域总部、楚航科技总部等2个人工智能产业华中区域总部项目与武汉经开区签约,签约金额达8亿元。

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    工业智能制造解决方案提供商“瓦特曼”完成6000万元A轮融资

    2021-06-15
    工业机器人和工业智能制造解决方案提供商“WATTMAN瓦特曼”已于近日完成A轮融资,融资额为6000万元。

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    汽车芯片保险保障机制上线

    2021-06-15
    6月11日,由工信部电子信息司、装备工业一司支持,北京市经济和信息化局指导,中国汽车芯片产业创新战略联盟主办的汽车芯片保险签约仪式在北京举行,瑞发科半导体、兆易创新、中电华大、北京君正等芯片企业出席。

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    上汽乘用车与京东方精电签订战略合作协议

    2021-06-15
    上汽乘用车将联合京东方精电在汽车智能座舱显示领域的技术研发、产品设计,以及整车应用领域展开全面深度合作,共同推进曲面中控显示屏、柔性OLED及透明车窗显示等基于全球领先显示技术的创新产品研发。据“上海汽车报天天看”微信公众号消息,

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    投资2000亿韩元 三星计划扩大马来西亚锂电池工厂产能

    2021-06-15
    根据韩国媒体TheElec报道,三星计划投资2000亿韩元,扩大其马来西亚锂电池工厂的产能,这家工厂主要制造圆柱形锂电池。

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    中国新能源汽车市场渗透率达10% L2级智能驾驶装载率超15%

    2021-06-15
    2021中国汽车重庆论坛12日开幕,中国工业和信息化部装备工业一司司长罗俊杰在开幕致辞中透露,中国新能源汽车产销量连续六年位居世界第一,今年5月市场渗透率超过10%,L2级智能驾驶装载率超过15%。

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锐成芯微入库工信部物联网关键技术与平台创新类项目名单

锐成芯微 ACTT | 2021-06-10

近日,工业和信息化部公布2020-2021年度物联网关键技术与平台创新类、集成创新与融合应用类示范项目名单,锐成芯微申报的《超低功耗物联网 IP 平台的研发及创新应用》成功入库,意味着相关部门对锐成芯微在集成电路IP的研发与应用领域技术实力和专业服务能力的肯定。

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设备材料

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10000V!氮化镓功率器件击穿电压新纪录

大半导体产业网 | 2021-06-10

近日,美国弗吉尼亚理工大学电力电子技术中心(CPES)和苏州晶湛半导体团队合作攻关,通过采用苏州晶湛新型多沟道AlGaN/GaN异质结构外延片,以及运用pGaN降低表面场技术(p- GaN reduced surface field (RESURF)制备的肖特基势垒二极管(SBD),成功实现了超过10kV的超高击穿电压。

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