您的位置:首页 技术文章

晶圆的另一面:背面供电领域的最新发展 探讨晶圆背面的半导体新机遇

2023-09-11

至少出于性能原因,器件晶圆背面的空间看起来很有发展潜力。把电源轨从前端移到背面可以缓解晶圆正面的拥塞,实现单元微缩并减少电压降。领先的半导体逻辑企业深知背面供电的优势,正积极开发背面分布网络。

嵌入式IoMT设备的安全设计

2023-09-01

深入探讨美国食品药品监督管理局(FDA)关于医疗物联网(IoMT)的医疗及保健指南。

大模型应用:激发芯片设计新纪元

2023-08-10

2023 年,生成式 AI 如同当红炸子鸡,吸引着全球的目光。当前,围绕这一领域的竞争愈发白热化,全球陷入百模大战,并朝着千模大战奋进。在这场潮流中,AI 芯片成为支撑引擎,为大模型应用提供强有力的支持。

关于图像传感器的图像质量——要纠正的几个误区

2023-06-27

如果图像质量对于您的图像传感器应用至关重要,您必须避开一些潜在的陷阱。对分辨率和噪声影响所做的假设必须通过测试加以验证,从而确保在最终系统设计中不出意外。

线边缘粗糙度(LER)如何影响先进节点上半导体的性能 与泛林一同探索先进节点上线边缘粗糙度控制的重要性

2023-06-16

由于线边缘粗糙度对较小金属线关键尺寸下的电阻有较大影响,线边缘粗糙度控制在先进节点将变得越来越重要。

仅使用一个电感即可设计出更紧凑的电源

2023-06-03

如今,几乎每个电路都需要使用多个不同的电源电压。因此,我们必须设计合适的电源管理架构,以提供所需的不同电压轨。

如何通过实时可变栅极驱动强度更大限度地提高 SiC 牵引逆变器的效率

2023-05-23

牵引逆变器是电动汽车 (EV) 中消耗电池电量的主要零部件,功率级别可达 150kW 或更高。牵引逆变器的效率和性能直接影响电动汽车单次充电后的行驶里程。因此,为了构建下一代牵引逆变器系统,业界广泛采用碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 来实现更高的可靠性、效率和功率密度。

ADALM2000实验:LED作为光传感器

2023-05-23

本次实验的目标是探索将发光二极管(LED)用作光电二极管光传感器,将NPN和达灵顿NPN晶体管用作光传感器的接口电路。

MATLAB:聚焦 6G 无线技术——目标和需求

2023-05-19

6G 系统的研发正在逐步前进,我们也开始对无线行业将会经历的技术进步有了清晰的了解。本文将深入探讨无线工程师在当前和未来项目中应该予以考虑的赋能技术。

如何利用超级电容设计简单的不间断电源

2023-05-17

在电源关键型应用中,如何更轻松地获得持续、可靠的电源?