美国国家半导体技术中心预计将获得50亿美元注资，其余资金将分配给相关项目。

项目一期可形成年封45亿颗、集成电路线宽小于等于0.8微米集成电路芯片的生产能力。

保税区泛半导体产业园聚焦半导体制造材料、封装材料、器件项目的孵化和加速。

长进光子将在东湖综保区建设总部基地及生产制造、材料基础、光子前沿等研究中心。

将在GD32车规级MCU芯片开发工具领域展开合作，保持功能安全合规，加速产品开发周期。

2024年4月14日，与深圳国际传感器与应用技术展览会同期举办的“SIA&SEMI MSIG国际传感器技术发展论坛”，聚焦技术创新为全球传感器带来的机遇。

A16™新型芯片制造技术采用领先的纳米片晶体管和创新的后置电源导轨解决方案，将于2026年投产。

生产规模从原有的年产6英寸碳化硅功率器件6万片/年增加至10万片/年。

建成投产后，将年产360万片8英寸硅外延片，推动半导体材料国产化蓬勃发展。

三星电子将在忠北清州M15X工厂建立新的DRAM生产基地，以应对AI半导体需求的急剧增长。