据英诺赛科官微消息，7月29日，英诺赛科与联合汽车电子宣布成立联合实验室，利用GaN技术在尺寸、重量和效率方面的优势，开发先进的新能源汽车电力电子系统。双方在联合电子（苏州研发中心）举行了联合实验室揭幕仪式。

据了解，与传统硅相比，采用GaN的转换器和逆变器功率损耗可降低高达10倍，显著提升了效率、功率密度并降低系统成本，实现体积更小、重量更轻的优势，并减少二氧化碳排放。

英诺赛科首席执行官吴金刚博士表示，英诺赛科已开发出业界性能最高、可靠性最高的GaN工艺，电压范围涵盖15V至1200V，并拥有全球最大的8英寸产能。期待与联合汽车电子携手，充分利用自身在GaN领域的优势，为基于GaN的电动汽车技术创新贡献力量。