9月20日，长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。

据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，存储器电容深宽比45:1，核心动能区高度降至6762纳米。

同时，第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升，同等条件下，每张晶圆的产出，与上一代平台相比提升了50%以上。

基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已经进入正式量产，全面进入国产主流旗舰手机。

长鑫科技表示，公司利用计算机模拟技术，并与中国芯片设备制造商在关键生产环节展开合作，开发这一平台。