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三星完成第六代HBM4芯片开发 向英伟达送样待量产批示

来源:大半导体产业网    2025-12-04
三星DS部门已通过量产准备就绪认证(PRA),这是全面量产前的最后一个内部审核环节,其HBM4的带宽预计将比目前的HBM3E芯片提升约60%。

12月4日消息,据外媒报道,三星电子已完成其第六代高带宽内存(HBM4)芯片的开发,并正进入量产准备阶段。

报道称,三星DS部门已通过量产准备就绪认证(PRA),这是全面量产前的最后一个内部审核环节,其HBM4的带宽预计将比目前的HBM3E芯片提升约60%。

三星电子目前正向英伟达发送HBM4原型样品进行质量测试。三星的目标是在年底前完成HBM4的开发,一旦通过英伟达的质量测试,便可能立即开始量产。

据悉,三星也正在建立即时量产的系统。