据报道，日前，三星电子DS部门半导体研究所下一代研究团队常务董事金大宇指出，随着高带宽内存（HBM）技术的发展，当堆叠层数超过16层时，现有的热压键合（TC）技术将无法满足生产需求。为此，三星正准备从16层HBM开始引入混合键合技术。

混合键合是一种消除现有微凸块（焊球）并将DRAM直接连接到铜的技术，其优势在于可以减少HBM的厚度。

三星电子表示，其将在16层的第7代HBM“HBM4E”中同时采用TC键合和混合键合技术，并将从20层的第8代HBM“HBM5”开始全面量产。