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英诺赛科与谷歌达成GaN芯片供货协议

来源:综合报道    2026-02-05
英诺赛科自愿披露公告,称公司旗下氮化镓功率芯片已完成谷歌AI硬件平台的重要设计导入,并签订合规供货协议。

2月3日,英诺赛科自愿披露《有关与谷歌公司重大业务进展的公告》,称公司旗下氮化镓功率芯片已完成谷歌AI硬件平台的重要设计导入,并签订合规供货协议。此举标志着英诺赛科正式跻身谷歌AI服务器与数据中心供应链,彰显了英诺赛科在技术先进性、产品性能和质量等方面在氮化镓行业的领先地位。

根据公告内容,基于当前的项目开发与客户对接进展,英诺赛科将聚焦于AI服务器、数据中心等高增长潜力领域,积极与产业链合作伙伴协作,合规地开展相关产品的商业化落地,满足市场及客户需求。

英诺赛科是全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶圆的公司。值得一提的是,2025年10月,根据英伟达在官网更新的其800V系统供应商名单,英诺赛科是国内唯一进入英伟达800V架构供应商名录的芯片企业。其第三代GaN器件具备出色的高频、高效率与高功率密度等特性,可为英伟达800 VDC架构提供从800V输入到GPU终端,覆盖15V到1200V的全链路氮化镓电源解决方案。