据西电广州研究院官微消息，日前，由西安电子科技大学广州研究院（简称西电广研院）与新加坡IC Carrier Technologies Pte Ltd（简称ICCT）合作共建的“氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心”，在广东-新加坡合作理事会第十三次会议上成功签约。

氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心围绕第三代半导体射频器件、电力电子器件等产业需求，以大幅提升QFN、陶瓷封装、金属封装等封装技术研发能力为目标，聚力开发满足产业前沿需求的先进封装技术，推进国内领先性能的第三代半导体射频器件、电力电子器件及其模块的研制进程，力争快速实现产品工程化。

氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心的成立，是西电广研院发展布局的重要战略举措，是“产学研”合作国际化的首次突破。西电广研院与ICCT将共同打造国际一流第三代半导体先进封装技术研发平台、中试平台、产业融合平台和高层次人才培养基地，携手ICCT共同为广东省及粤港澳大湾区社会经济高质量发展做贡献。