灿芯半导体日前宣布推出基于中芯国际14nm FinFET工艺的ONFI 4.2 IO及物理层IP，该IO支持SDR/NV-DDR/NV-DDR2 1.8V, NV-DDR3 1.2V, 该物理层IP采用全数字设计，具有低功耗、面积小等特点。

此次推出的ONFI物理层IP可应用于开放式NAND闪存界面，兼容ONFI 4.2/4.1/4.0/3.2等标准，目前该IO及物理层IP已经在中芯国际40nm及14nm FinFET工艺上通过硅验证。

ONFI 4.2物理层IP具有如下特点：

• 基于中芯国际14nm FinFET、 40LL工艺，并通过流片验证测试

• 支持14nm FinFET NV_DDR3 1.2V Max 1600Mbps; NV_DDR21.8V Max 800Mbps

• 支持40LL Max 800Mbps

• 支持芯片内终端匹配电阻(On-Die Termination; ODT)及支持阻抗校准

• 遵循国际开放式NAND闪存界面规范, 支持ONFI4.2/ 4.1/4.0/3.2等标准

• 支持DQS Gate、Write、Read训练

• 采用全数字延迟单元(DLL)

• 采用APB寄存器接口

“基于10多年定制芯片设计和IP研发的成功经验，灿芯半导体紧跟中芯国际先进工艺，持续为客户创造价值，” 灿芯半导体工程副总裁刘亚东表示，“基于中芯国际14nm FinFET工艺的ONFI IP已通过流片验证，将助力客户在中芯国际14nm先进工艺上快速实现量产。”