自SK海力士官网获悉，10月27日，SK海力士在“2025 OCP全球峰会”上展示了其下一代NAND存储产品战略。

SK海力士表示：“随着人工智能推理市场的快速发展，业界对能够迅速、高效处理海量数据的NAND闪存产品的需求正大幅攀升。为此，公司将建立‘AIN（AI-NAND）Family’产品组合，以专为人工智能时代进行优化的解决方案产品，全面满足客户的多样化需求。”

据SK海力士企业级固态硬盘（eSSD）产品开发担当金千成副社长介绍，AIN Family在性能（Performance）、带宽（Bandwidth）、容量（Density）三方面分别优化的NAND闪存解决方案产品，旨在提升数据处理速度，并实现存储容量最大化。

AIN P（Performance）是一款专为大规模AI推理环境中海量数据的输入与输出而打造的高效解决方案。该方案通过最小化AI运算与存储之间的瓶颈，显著提升了处理速度与能效。为此，公司正在以全新架构重新设计NAND闪存与控制器，并计划于2026年底推出样品。

而AIN D（Density）则是一款旨在以低功耗、低成本实现海量数据存储的高容量解决方案，特别适用于AI数据的存储。相较于现有基于QLC*的TB（太字节）级的SSD，AIN D可将存储容量提升至最高PB（拍字节）级，同时兼顾SSD的高速性能与HDD的经济性，成为一种中间层存储产品。

最后，AIN B（Bandwidth）是一款通过堆叠NAND闪存以扩大带宽的解决方案产品。该产品采用了公司名为‘HBF*’的技术。

据悉，SK海力士为应对AI推理规模扩大、大型语言模型（LLM）发展导致的存储容量不足问题，很早便启动了AIN B的研发工作。其核心在于将高容量、低成本的NAND闪存与HBM堆叠结构相结合。目前，公司正积极评估多种AIN B应用方案，包括将其与HBM协同配置以补充容量等多种灵活模式。

*HBF（高带宽闪存，High Bandwidth Flash）：与堆叠DRAM芯片的HBM（高带宽存储器）相同，通过堆叠NAND闪存而制成的产品