近日，总投资20亿元的高端化合物半导体衬底生产线项目在浙江衢州完成投资备案。

据悉，项目由浙江先导微电子科技有限公司投建，建设周期为2026年8月至2029年8月。

据官方备案信息显示，项目固定资产投资17亿元，将利用企业现有场地升级扩建生产线，引入高端晶体生长、精密抛光、缺陷检测等核心生产设备，重点布局4-6英寸高端砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）单晶衬底产品。

项目建成后将形成年产砷化镓衬底300万片、磷化铟衬底300万片的生产能力，合计年产600万片高端半导体衬底。

作为先导科技集团旗下核心材料平台，浙江先导微电子已在衢州深耕多年，是国内首家实现6英寸磷化铟衬底量产的企业，产品位错密度、表面平整度等核心技术指标对标国际一线厂商，已稳定供货国内头部光芯片、光模块企业。