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三星电子目标9月完成1d DRAM内存研发

来源:综合报道    2026-08-19
三星电子目前正在加速10纳米级第七代DRAM的开发,并将开发完成时间订在今年9月,预计于12月将研发成果移交量产线,若进度顺利,最快有望在2027年底实现首批量产。

据韩媒the bell报道,三星电子目前正在加速10纳米级第七代DRAM(1d DRAM)的开发,并将开发完成时间订在今年9月,预计于12月将研发成果移交量产线,若进度顺利,最快有望在2027年底实现首批量产。

目前三星尚未公布良率数据,但业界评估,1d DRAM在热测试环节的良率已达预期目标。知情人士指出,考虑到成本与获利,三星电子若按照目前的制程开发方式难以直接支撑大规模量产,因此,公司正同步简化量产线上的制造步骤,以提升生产效率与成本竞争力。

另一方面,三星计划未将把1d DRAM导入HBM5E,产品预计将在2030年前后推出。