公司的单晶圆中/高温硫酸过氧化混合物（SPM）设备能够应对前道与后道工艺中晶圆所需的多种湿蚀刻与清洗工艺，包括中低温硫酸90℃清洗处理工艺、高温硫酸170℃光刻胶（PR）去除工艺，以及超高温硫酸190℃金属剥离工艺。随着半导体工艺节点的不断推进，对单片高温硫酸工艺的需求显著增长。这一趋势对颗粒管控、腔室氛围管理以及硫酸温度稳定性提出了更为严格的要求。盛美上海在单晶圆中/高温SPM设备中引入了创新设计，为满足更加严苛的需求做好了充分准备。

该系统采用盛美上海全新的专有喷嘴设计以消除SPM工艺中的酸雾飞溅问题，有助于提高颗粒控制能力并减少腔体的清洗维护频率，从而延长设备的正常运行时间（uptime）；能够应对28纳米及以下节点前道与后道工艺中晶圆所需的多种湿蚀刻与清洗工艺。