6月3日消息，据日经亚洲报道，软银正携手英特尔开发一种全新AI专用内存芯片，其耗电量有望大幅低于当前芯片。

双方计划设计一种新型堆叠式DRAM芯片，采用不同于现有高带宽内存（HBM）的布线方式，预期将电力消耗减少约一半。

这一创新设计将有效提升芯片的能效比，对于降低AI数据中心的运营成本以及推动绿色计算具有意义。

负责该项目的是新成立的公司Saimemory，所用技术来自英特尔，并结合东京大学等日本高校的专利成果。Saimemory将专注于芯片设计与专利管理，制造交由外部代工厂负责。

项目目标是在两年内完成原型，再评估是否投入量产，争取在21世纪20年代实现商业化，整体投资预计达100亿日元。

软银为主要投资方，出资30亿日元，日本理化学研究所与神港精机也在考虑资金或技术上的参与。此外，项目方也计划申请政府支持。

软银对这款新型存储器有着明确的应用规划，希望将其用于自身的AI训练数据中心。