据韩媒报道,SK 海力士宣布将在芯片生产清洗工艺中使用更环保的气体 —— 氟气(F2)。
据SK 海力士发布的2024 可持续发展报告显示,该公司原先将三氟化氮(NF3)用于芯片生产过程中的清洗工艺,用于去除沉积过程中腔室内部形成的残留物,其全球变暖潜能值(GWP)为17200,而氟气(F2)则为零。
除此之外,SK 海力士还进一步增加了氢氟酸(HF)的使用量,该气体可用于低温蚀刻设备,其GWP为1甚至更低,远低于过去用于 NAND 通道孔蚀刻的氟碳气体。
据韩媒报道,SK 海力士宣布将在芯片生产清洗工艺中使用更环保的气体 —— 氟气(F2)。
据SK 海力士发布的2024 可持续发展报告显示,该公司原先将三氟化氮(NF3)用于芯片生产过程中的清洗工艺,用于去除沉积过程中腔室内部形成的残留物,其全球变暖潜能值(GWP)为17200,而氟气(F2)则为零。
除此之外,SK 海力士还进一步增加了氢氟酸(HF)的使用量,该气体可用于低温蚀刻设备,其GWP为1甚至更低,远低于过去用于 NAND 通道孔蚀刻的氟碳气体。