据露笑科技官微消息，日前，合肥露笑半导体材料有限公司在8英寸导电型碳化硅衬底研发与产业化领域取得重大突破。

据悉，露笑科技已全面掌握8英寸导电型碳化硅晶体生长工艺参数之间的耦合关系，成功生长出高质量的8英寸碳化硅晶体。晶体结晶质量高，晶型控制稳定，确保了衬底的高性能和一致性。在8英寸导电型碳化硅衬底的关键参数，包括微管密度、表面粗糙度、位错密度、电阻率分布均匀性等，均已达到或优于行业主流标准。其中，微管密度极低，表面质量满足客户要求，为下游客户制造高性能、高可靠性的碳化硅功率器件奠定了坚实基础。

此外，露笑科技合肥基地一期项目已顺利投产。在此基础上，公司正积极筹划二期扩产项目，将重点聚焦于8英寸衬底及外延片的产线建设，旨在快速形成规模化生产能力，以满足新能源汽车、光伏发电、储能及工业控制等领域对高性能8英寸碳化硅衬底日益增长的市场需求。

露笑科技将继续加大研发投入，持续优化8英寸导电型碳化硅的生产工艺，同时前瞻性地布局下一代碳化硅技术，积极探索更大尺寸衬底的研发。