1月29日消息，1月28日，台积电 (TSMC) 向其参股的特色工艺晶圆代工企业世界先进 (VIS) 授权650V高压和80V低压两种类型的氮化镓 (GaN) 制程技术。

通过此次授权，世界先进扩展其硅衬底氮化镓 (GaN-on-Si) 工艺制程至高压应用领域，形成完整的GaN-on-Si平台。加之原就拥有的GaN-on-QST制程平台，世界先进因此成为全球首家能同时提供两种不同衬底氮化镓高低压工艺的晶圆制造服务公司。

世界先进将打造一个能与现有无缝接轨的氮化镓制程平台，并将于公司成熟的八英寸晶圆生产平台上进行验证，以确保制程稳定性与高良率。相关开发作业预计于2026 年初启动，并于2028年上半年量产。