据韩国媒体The Elec报道，三星的首条8英寸氮化镓（GaN）晶圆生产线预计最快将于2026年二季度进入量产阶段，初期营收规模预计将低于1000亿韩元。

报道指出，三星已建立起涵盖除芯片设计外所有内容的综合GaN解决方案生态系统，并具备独立生产GaN外延晶圆生产能力。

此外，在推进GaN业务的同时，三星计划在今年内启动碳化硅（SiC）功率半导体代工线的运营。与GaN侧重中低压场景不同，三星SiC业务将聚焦1200V-1700V高压应用市场，主要面向新能源汽车主逆变器、工业电源等领域。该公司在SiC细分领域具备端到端能力，包括设计，能够在不同电压范围内补充氮化镓技术。

三星计划于2026 年第三季度率先量产平面结构SiC MOSFET样品，该技术路线成熟度高、可靠性强，更易满足车规级严苛认证要求。未来，三星还将逐步拓展沟槽型MOSFET、二极管及功率模块等产品，完善SiC全系列矩阵。通过GaN与SiC双线并行，三星可覆盖全电压范围功率器件市场，为客户提供一站式化合物半导体代工服务。

此前报道还披露，三星已投资约1000亿至2000亿韩元的先进工艺设备，包括Aixtron的MOCVD系统，以支持硅镓和氮化镓晶圆的加工。