2月12日消息，据韩国经济日报报道，SK海力士近日通过发表在IEEE（电气与电子工程师协会）全球半导体大会上的论文，提出了一种新型半导体结构。

该结构采用了HBM和HBF两种技术，公司将8个HBM3E和8个HBF置于英伟达Blackwell旁进行实验，结果表明，与单独使用HBM相比，这种配置可以将每瓦计算性能提升高达2.69倍。

与堆叠DRAM芯片的HBM类似，HBF通过堆叠NAND闪存而制成。