据镓仁半导体官微消息，杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)在外延技术上取得了重大突破，成功实现了高质量8英寸氧化镓同质外延生长，在国际上尚属首次。外延片检测结果显示：外延片膜厚＞10μm，且膜厚方差σ<1%；外延层载流子浓度平均值为1.79×1016 cm-3。

据了解，基于自身优异的物理性质，氧化镓能够支撑高可靠性器件在极端高压（器件耐压2000V以上）、极端功率（百kW级）、极端工况（高辐射、宽温域、高湿度、长寿命）及极端环境（深空、深海、深地、强电磁干扰）下的应用，因此在新能源汽车、光伏储能、智能电网、轨道交通、商业航天、5G通信等领域拥有广阔的应用前景，具备极大的市场潜力。

8英寸氧化镓同质外延片单片可制备的功率器件数量大幅增加，能显著摊薄衬底、加工、封装等环节的单位成本。外延层与衬底具有完美的晶格匹配，可有效减少晶格失配、缺陷密度，显著提升器件的击穿电压、导通电阻、开关速度等关键性能。

此外，镓仁半导体8英寸氧化镓同质外延片的突破，不仅提升了中国在第四代半导体领域的全球竞争力，更将加速全球氧化镓产业的技术迭代，引领全球半导体产业进入“第四代”新时代。