据报道，12月10日，SK海力士副总裁金天成在活动中宣布了公司与英伟达合作开发下一代SSD的消息。

据悉，双方正在合作开发下一代基于NAND闪存的SSD，该项目名为“Storage Next”。其目标是在实现与HBM内存技术相当的创新性能的同时，将数据传输速度提升8到10倍。

金天成透露，目前，NVIDIA正在积极开展初步测试（PoC），而SK海力士则将其命名为“AI-NP（AI NAND Performance）”。基于PCIe Gen 6、支持约2500万IOPS的存储原型产品预计将于明年年底发布。此外，到2027年底，SK海力士将能够生产出支持1亿IOPS的产品。

而备受关注的HBF（高带宽闪存）芯片的alpha版本预计将于明年1月底发布，预计HBF概念验证产品将于2027年左右发布。