据进化半导体官微消息，近日，进化半导体（深圳）有限公司全资子公司苏州燎塬半导体有限公司通过提拉工艺和热场的改进，成功基于“无贵金属工艺”（PMF-Precious Metal Free）制备出直径85mm ，即3英寸 (011)面 β-Ga2O3 掺锡n型导电单晶。

3英寸(011)面PMF工艺氧化镓晶体  图源：进化半导体

这是国际上首次报道基于“无贵金属”技术体系（不使用铂/铱/铑等贵金属）达到3英寸(011)晶体的纪录，也是目前国际上直拉工艺获得的最大(011)单晶。