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拓荆科技沈阳高端半导体设备产业化基地项目主体封顶

来源:综合报道    2026-08-12
该项目占地147亩,总建筑面积15.6万平方米,总投资近18亿元。将建设高标准洁净生产车间、智能化立体库房、先进研发中心、测试实验室与综合配套设施。

8月10日,国内半导体设备企业拓荆科技股份有限公司沈阳高端半导体设备产业化基地项目(沈阳二厂)主体结构正式封顶。

据了解,该项目由拓荆科技及其全资子公司拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司投资建设,中国建筑第八工程局有限公司承建。项目占地147亩,总建筑面积15.6万平方米,总投资近18亿元。

根据规划,基地将建设高标准洁净生产车间、智能化立体库房、先进研发中心、测试实验室与综合配套设施,同步部署先进生产管理系统。项目建成后将成为拓荆科技全球核心研发制造中心,最大产能规模将达到每年超过1000台,计划2028年正式投入使用。