10月28日消息，10月24日，德州仪器（TI）宣布，其位于日本会津的工厂已开始生产基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体。

德州仪器技术和制造高级副总裁Mohammad Yunus表示，凭借十多年来在氮化镓芯片设计和制造方面的专业知识，我们已成功验证了我们的200mm（8英寸）氮化镓技术，并在会津开始量产。到2030年，德州仪器内部氮化镓制造率将增长到95%以上，同时还可以从多个德州仪器工厂采购，确保公司整个氮化镓半导体产品组合的供应。

随着会津工厂的投产，加上德州达拉斯现有的氮化镓生产基地，德州仪器内部氮化镓功率半导体的产能将增加四倍。

此外，德州仪器扩展投资还包括今年早些时候在12英寸（300mm）晶圆上成功开发氮化镓制造工艺的试点。