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三星或采用2nm工艺开发HBM5

来源：综合报道 2026-03-19

三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片采用2纳米工艺。

据Businesskorea消息，三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片采用2纳米工艺。

对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D（第七代10纳米级）工艺的DRAM。这意味着三星将在极短的时间内完成从1c到1d的技术跨越，以追求极致的数据传输密度。