据“无锡科技”公众号消息，日前，无锡光量子芯片中试平台顺利下线首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆，同时超低损耗、超高带宽的高性能薄膜铌酸锂调制器芯片也实现规模化量产。

据悉，上海交大无锡光子芯片研究院于2022年底破土动工，并率先启动国内首条光子芯片中试线建设。上海交大无锡光子芯片研究院院长金贤敏表示，无锡光量子芯片中试平台的“投产”，不仅标志着研究院构建起贯通“技术研发—工艺验证—规模量产”的全链条能力，更意味着我国自主可控的量子科技国际竞争力进一步提升。

“一片直径6寸的晶圆可以切割出350颗芯片，这些芯片如同‘心脏’，驱动着高性能薄膜铌酸锂调制器高效运行。”中试平台负责人透露，在滨湖达产后，无锡光量子芯片中试平台将具备年产1.2万片薄膜铌酸锂晶圆的量产能力。未来平台将与更多产业链上下游企业合作，加速科技成果转化落地，推动我国光子芯片核心器件从技术研发向产业化应用的实质性跨越。

此外，为了攻克薄膜铌酸锂晶圆的制备工艺难题，上海交大无锡光子芯片研究院为无锡光量子芯片中试平台引进了110台国际顶级CMOS工艺设备，覆盖了薄膜铌酸锂晶圆从光刻、薄膜沉积、刻蚀、湿法、切割、量测到封装的全闭环工艺。依托尖端设备以及领先的纳米级加工能力，研究院在6寸薄膜铌酸锂晶圆上实现了110纳米高精度波导刻蚀，在兼顾高集成度的同时，调制带宽突破110GHz、插入损耗低至3.5dB以下，信号强度和抗干扰能力等性能指标达国际一流水平。

近期，中试平台将发布工艺设计包，薄膜铌酸锂晶圆制备的核心工艺参数与器件模型将全面纳入、开放共享，助力产业链企业快速完成从概念设计到流片验证再到量产的全流程闭环，显著缩短研发周期，让创新成果加速“落地生金”。