据韩媒报道，近日，三星电子利用单元多层键合(CMB)技术连接两片450层3D NAND，突破传统单次堆叠极限，构建了全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，这一样品的存储单元工作特性已得到验证。

据悉，三星电子在原型制造中以“上部卡盘”(Upper Chuck) 解决了晶圆翘曲问题，并以新型套刻校正技术克服了微细对准误差，同时优化了位线（BL）与字线（WL）结构，在提升密度的同时降低芯片功耗与尺寸。