近日，长鑫科技在第三季度业绩交流会中透露，在4F²垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。

此前长鑫曾在学术论坛上介绍4F²架构进展，此次是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台是基于4F²架构。

4F²架构通过更紧凑的布局缩小存储单元面积、提高单位面积存储密度。

采用4F²架构的首代产品今年年底送样后，该架构的规模量产会根据客户验证进度、市场需求情况推进。