自世界先进官网获悉，1月28日，世界先进积体电路股份有限公司（下简称“世界先进”）宣布已与台积电签署高压（650V）与低压（80V）氮化镓（GaN）制程技术的授权协议。此授权协议将协助世界先进公司加速开发并拓展新一代氮化镓电源元件，应用于资料中心、车用电子、工业控制与能源管理等高效率电能转换领域。

据悉，通过此次授权，世界先进将扩展其硅基底功率氮化镓（GaN-on-Si）制程至高压应用领域，并提供完整的GaN-on-Si平台，结合原有的新基底功率氮化镓（GaN-on-QST）制程平台，世界先进将成为全球唯一能同时提供硅基底功率及新基底功率，两种不同基板氮化镓制程的晶圆制造服务公司，可提供自低压（小于200V）、高压（650V）乃至超高压（1200V）的完整产品解决方案，进一步强化其在高效率电能转换领域的技术布局。

世界先进表示，通过本次技术授权，公司将精准打造一个能与现有制程平台无缝接轨的氮化镓制程平台，并将于公司成熟的8英寸晶圆生产平台上进行验证，以确保制程稳定性与高良率。相关开发作业预计于2026年初启动，并于2028年上半年量产。