近日，据ETNews报道，SK海力士近期为了iHBM（Integrated High Bandwidth Memory）技术升级与量产准备，已接触韩国国内国外的材料、零部件与设备厂商，讨论实际产品导入与量产计划。

iHBM的目标是从HBM5开始导入，按照SK海力士的HBM5路线图，预计2029年问世。

iHBM是SK海力士今年5月份公开的技术，该技术的特点是在base die的通讯连接区放入整合式冷却元件ICE，替热量另外开出一条排出路径。SK海力士表示，这样的设计能把热阻降低30%以上，让HBM在高温、高负载环境下也能稳定运作。

在制程方面，iHBM采用SK海力士已导入的Advanced MR-MUF为基础的晶圆级封装。