8月28日消息，SK海力士宣布，于当地时间8月27日在美国印第安纳州西拉斐特（West Lafayette）的普渡大学霍洛威体育馆（Holloway Gymnasium）举行了面向AI的存储器先进封装生产基地奠基仪式。

据报道，该工厂投资超过40亿美元，根据建设规划，工厂洁净室预计将在2028年10月前启用，下一代HBM计划于2029年下半年开始量产。

印第安纳晶圆厂作为SK海力士在美国设立的首个HBM生产据点，将基于韩国与美国生产体系的紧密连接进行运营。在韩国生产的先进晶圆将运至印第安纳，经过先进封装和测试后，直接供应给美国客户。

此外，SK海力士还将与生产线同步构建“先进封装研发测试床（Testbed）”，以便与客户、大学及商业合作伙伴共同开发下一代封装技术，快速推进原型试制与性能验证。

目前，超过100家涵盖材料、零部件及设备等领域的合作伙伴正就进驻西拉斐特事宜进行洽谈。据测算，依托该基地的建设与长期运营，SK海力士将联动美国本土产业链企业，创造约7000个直接及间接就业岗位。

在奠基仪式现场，SK海力士与普渡大学正式签署先进封装领域研发合作谅解备忘录（MOU）。双方将基于MOU加强研发合作，共同研究包括HBM在内的下一代系统集成及先进封装技术。