据韩媒《朝鲜日报》，SK海力士据悉正在评估使用台积电3纳米工艺来生产第7代高带宽内存（HBM4E）的逻辑芯片。
业内消息人士3月20日透露，SK海力士计划在HBM4E的“核心芯片”（即堆叠的DRAM）上使用10nm级第6代（1c）DRAM工艺，而逻辑芯片则采用台积电的3nm工艺。
相比之下，今年SK海力士向英伟达供应的HBM4采用了10nm级第5代（1b）DRAM核心芯片，逻辑芯片则使用台积电12nm工艺；而三星电子的HBM4则采用了10nm级第6代（1c）DRAM工艺的核心芯片及4nm的逻辑芯片。