据晶盛机电官微消息，近日，依托自主搭建的12英寸中试线，晶盛机电子公司浙江晶瑞电子材料有限公司（以下简称“浙江晶瑞SuperSiC”）成功实现12英寸碳化硅衬底厚度均匀性（TTV）≤1μm的关键技术突破。

这是继建成行业首条12英寸碳化硅中试线后，晶盛机电研发中心与浙江晶瑞SuperSiC联手取得的又一重大成果。目前，浙江晶瑞SuperSiC 的12英寸SiC衬底已小批量出货。

据了解，在先进封装中介层领域，除散热性能外，中介层需与芯片、基板精准键合，这要求12英寸碳化硅的TTV和LTV控制达到1μm级。但由于碳化硅莫氏硬度高达9.5，接近钻石，相应的精密加工设备与工艺长期面临瓶颈，成为制约产业突破的关键。

晶盛机电凭借在12英寸硅片、蓝宝石领域的深厚技术积累，助力浙江晶瑞SuperSiC搭建起覆盖晶体加工、激光切割、减薄、抛光、清洗、检测的全流程12英寸碳化硅中试线，更实现产线加工、检测设备100%国产化。针对12英寸碳化硅TTV控制的行业痛点，双方研发与工艺团队从减薄设备刚性、研磨和抛光盘形控制、减薄-研磨-抛光工艺对面形影响等多个维度协同攻关，最终达成TTV≤1μm的关键突破。

未来，浙江晶瑞SuperSiC将继续聚焦大尺寸碳化硅技术突破与产业化应用，加快实现12英寸碳化硅规模化稳定量产步伐。