据湖南三安官微消息，7月24日，湖南三安半导体举行芯片二厂M6B设备入场仪式。这标志着湖南三安SiC项目二期通线在即，将为全面加速8吋SiC产业布局，实现产线正式投产奠定了良好的基础。

据悉，湖南三安SiC项目总投资高达160亿人民币，旨在打造6吋/8吋兼容SiC全产业链垂直整合量产平台。项目达产后，将具备年产36万片6吋SiC晶圆、48万片8吋SiC晶圆的制造能力。M6B作为湖南三安布局SIC产业的重要一环，其投产情况备受关注。预计到今年12月，M6B将实现点亮通线，8吋SiC芯片将正式投产，湖南三安半导体正式转型为8吋SiC垂直整合制造商。

未来，湖南三安将充分发挥自身优势，加大研发投入、提高产能，共同推动8吋SiC芯片领域的发展，有望加速8吋SiC从材料到器件模块直至终端应用全流程的落地实施，为我国第三代半导体产业的发展注入强大动力。

资料显示，湖南三安半导体是三安光电全资子公司，专注于电力电子领域，提供功率半导体产品及代工服务，SiC芯片/器件已累计出货超3亿颗。三安半导体拥有国内为数不多的SiC全产业链垂直整合制造服务平台，能提供长晶、衬底、外延、芯片、封测全流程制造服务，实现产品迭代、质量、交付的全方位管控，且产能规模、技术水平在全球同行业中具有竞争力。