据韩媒报道，SK海力士（SK Hynix）明年除积极扩产HBM内存外，也将全力扩充HBM以外的通用DRAM内存的产能。

SK海力士会长崔泰源在行业论坛中透露，目标是通过最大化芯片厂稼功率与调整产线配置，使2026年的标准型DRAM供应量相较于2025年增加超过一成。

据悉，SK海力士的 HBM DRAM 新增产能主要集中在本季度竣工投产的清州M15X晶圆厂上，而通用DRAM内存的新产能则将来自现有晶圆厂，包括清州M8、利川M10、利川M14、利川M16。

报道中称，M16芯片厂的稼功率将被提升至最大化的同时，针对M15芯片厂，SK海力士也正在执行一项关键的产能转换计划。具体而言，部分原本用于代工业务或生产CMOS形象传感器（CIS）的生产线，将被重新配置并转换为DRAM生产线。

通过这种策略性的产能调整与扩大，SK海力士期望能够有效缓解当前标准型DRAM市场的供应紧张局势。