近日，日本半导体制造商ROHM（罗姆）宣布其在今年3月成功完成了第5代碳化硅 (SiC) MOSFET的开发工作。

相较上代，新产品通过器件结构改进和制造工艺优化在175℃ 结温 (Tj) 下导通电阻降低约30%。

罗姆表示，在各类电动汽车 (xEV) 用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，其第5代SiC MOSFET有助于缩小单元体积，提高输出功率。此外芯片也非常适用于AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。