据韩媒报道，三星电机与高通一直在联合开发用于 2.1D 封装的有机桥技术，以连接单个封装内的多个半导体芯片。

三星电机在带凹槽的FC-BGA基板中埋入有机桥，连接高通芯片并评估性能与可靠性。高通正考虑将其用于数据中心大型多芯片半导体，已于2024年10月提交了相关专利。该有机桥采用通过基板工艺制造的有机材料，旨在替代英特尔的 EMIB 等硅桥。

据报道，三星电机将使用多个RDL封装在倒装芯片球栅阵列封装 (BGA) 中来制造这种2.1D封装。有机桥目标为5至7层再布线层，线宽与间距1.5至2微米、过孔4至5微米，芯片间图案密度达每毫米500至1000个。

与此同时，三星电机也在与其他多家客户评估该技术，并与三星电子的晶圆代工部门合作开展封装评估。