SK海力士正在为其下一代HBM解决方案引入包括英特尔EMIB在内的先进封装技术，并计划最终迈入3D封装阶段。

在Hot Chips 2026大会上，SK海力士封装工程副总裁Jaesik Lee发表题为“高带宽内存的先进封装”（Advanced Packaging for High-Bandwidth Memory）报告，详细阐述了公司计划如何利用先进封装技术加速HBM路线图。

SK海力士目前的路线图将HBM4作为旗舰产品，DRAM密度高达24Gb，容量最高可达48GB，IO位宽增至2048个，带宽突破2TB/s。此外，HBM4功耗效率提升40%以上，相比HBM3E耐热性提升14%以上，封装内部集成超过2万个TSV和1.6万余个底部微凸点。

目前，SK海力士正在探索混合键合（Hybrid Bonding）等方法，以突破16层堆叠的限制。未来，SK海力士还计划通过TSV数量翻倍、结合逻辑工艺集成提升IO速度来增加带宽，以及优化PDN来解决功耗挑战。