大半导体产业网消息，11月18日，立昂微发布晚间公告称，其控股子公司金瑞泓微电子（衢州）有限公司（以下简称“金瑞泓微电子”）与衢州智造新城管理委员会签署《投资协议书》，约定金瑞泓微电子在现有厂房内建设“年产180万片12英寸重掺衬底片项目”。

公告显示，该项目计划总投资22.62亿元，其中固定资产投资21.96亿元，建设周期约60个月。项目将采用金瑞泓自主开发的重掺杂直拉硅单晶的制备技术、微量掺锗直拉硅单晶技术和低缺陷掺氮直拉硅单晶技术等最重要的生产工艺。计划于2026年2月底前开工建设，于2029年6月底前投产。

据了解，金瑞泓微电子聚焦12英寸重掺硅片产品的生产，制备出的12英寸重掺系列外延片满足高端功率器件需求。现有重掺系列硅片产能爬坡迅速，目前已接近满产，为进一步满足市场需求，尤其是高端功率器件市场急需重掺砷、重掺磷等系列的厚层、埋层等特殊规格的硅外延片产品需求，金瑞泓微电子本次在现有厂房内建设“年产180万片12英寸重掺衬底片项目”，系在金瑞泓微电子现有厂房内实施的扩产项目，可与现有“年产180万片12英寸半导体硅外延片项目”形成上下游配套。

项目实施后，公司将实现新增年产180万片12英寸重掺衬底片的产能规模，提高公司重掺系列硅片生产能力，优化公司产品结构，提升产品丰富度，同时可进一步满足集成电路市场需求。