大半导体产业网消息， 领先电路保护、电源控制和感应技术的全球制造商Littelfuse, Inc. (NASDAQ: LFUS)10月21日宣布推出新的50 A单向瞬态抑制二极管阵列系列（SPA®二极管）。与市场上现有的解决方案相比， SP1250-01ETG 50单向瞬态抑制二极管阵列可凭借较低的钳位电压和低泄漏电流提供出色的保护，同时节省印刷电路板空间。

SP1250-01ETG瞬态抑制二极管阵列

SP1250-01ETG的典型市场和应用包括：
·消费电子产品 - 台式机、服务器和笔记本电脑
·计算机外围设备
·医疗设备
·销售点（POS）终端
·测试设备/仪器
·便携式电池

SP1250分散式单向瞬态抑制二极管采用专有的硅雪崩技术制造。该二极管阵列可为消费电子设备提供高ESD（静电放电）保护。SP1250系列产品可安全地吸收±30 kV（IEC 61000-4-2中定义的接触和空气放电）的反复性ESD震击，而无需担心其性能退化。每台设备可耗散高达50 A 8/20 μs的浪涌事件。

“将SP1250融入消费电子产品的设计之后，即使在恶劣环境中，也能为产品的电源线提供超强的ESD抑制和出色的浪涌保护。”瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）产品经理Jia Zhu表示。“这种设计选择将为最终用户带来较高的可靠性和更长的使用寿命。”

SP1250-01ETG系列瞬态抑制二极管阵列具有以下关键优势：
·对因高浪涌能力（50 A, tP=8/20 μs）和低钳位性能（8.7V；典型值，Ipp=50 A）造成的电气威胁进行可靠防护。
·因低泄漏电流而延长了使用寿命（5 V下为0.02 μA（典型值））。
·紧凑的SOD-882 DFN封装（0402占用空间），易于安装在较小的PCB空间内。
·作为通过AEC-Q101认证的解决方案，具有高度可靠的性能。