自英飞凌官网获悉，当地时间9月11日，英飞凌宣布，已成功开发出全球首项300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术，成为全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。

据悉，相较于200 mm晶圆，300 mm晶圆芯片生产不仅在技术上更先进，也因为晶圆直径的扩大，每片晶圆上的芯片数量增加了2.3倍，效率也显著提高。这项突破将极大地推动GaN功率半导体市场的发展。

先进的GaN制造工艺能够提高器件性能，为终端客户的应用带来诸多好处，包括更高的效率、更小的尺寸、更轻的重量和更低的总成本。此外，凭借可扩展性，300 mm制造工艺在客户供应方面具有极高的稳定性。

据了解，英飞凌已在其位于奥地利菲拉赫（Villach）的功率半导体晶圆厂中，利用现有300 mm硅生产设备的整合试产线，成功地生产出300 mm GaN晶圆。英飞凌正通过现有的300 mm硅和 200 mm GaN的成熟产能发挥其优势，同时还将根据市场需求进一步扩大GaN产能。英飞凌表示，凭借300 mm GaN制程技术，将推动GaN市场的不断增长。