据韩国《首尔经济日报》报道，三星电子正配合英伟达要求开发8层第七代高带宽存储器（HBM4E），英伟达提出的速度规格为17-18Gbps，较三星初期HBM4E 14.4Gbps的样品速度高出约20%，该产品据悉将用于NVHBM。

英伟达此次要求三星开发8层HBM4E，较原计划的12层、16层方案显著降低堆叠高度，有利于提升良率、扩大产能。

8月26日，英伟达发布NVHBM，这是面向采用NVLink Fusion平台的定制AI芯片客户推出的HBM方案。