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纬创得州D1新厂启用

来源:综合报道    2026-07-22
纬创D1新厂斥资近7亿美元,面积约32.4万平方公尺,采用英伟达加速计算技术,并整合Nemotron与Cosmos等开放前沿模型,通过数字孪生技术优化厂房设计、生产流程与营运效率。

7月22日,纬创举行美国得克萨斯州新厂D1启用典礼,英伟达CEO黄仁勋到场祝贺,并与纬创董事长林宪铭共同揭幕新厂启用。

纬创D1新厂斥资近7亿美元,面积约32.4万平方公尺,采用英伟达加速计算技术,并整合Nemotron与Cosmos等开放前沿模型,以及Omniverse与Metropolis,通过数字孪生技术优化厂房设计、生产流程与营运效率。

D1新厂创下全美国第一片英伟达GB300计算基板诞生并成功量产。纬创董事长林宪铭提到,新厂进行的并非传统制造,而是高度整合、先进且高科技的智慧制造。现已开始量产NVIDIA GB300 Grace Blackwell Superchip,未来也将在此生产NVIDIA Vera Rubin Superchip。

D1厂开幕只是纬创北得州布局的第一阶段。林宪铭表示,后续D2厂的规模预计至少是D1的两倍,公司也开始思考第三、第四个据点,为新一代AI产品与后续需求预留制造空间。

黄仁勋表示,由于英伟达每年对AI服务器需求都在翻倍成长,本次D1新厂产能仅占英伟达总制造量5%,后续将会需要更多工厂跟上AI强劲需求。

黄仁勋称,现在AI市场快速成,AI相关应用芯片供给量远远不足,且每年成长大约25%,若以过去数据中心对比现在AI数据中心,所需芯片数量至少是过去的十倍。