杭州镓仁半导体有限公司（下称“镓仁半导体”）今年6月宣布，基于自研铸造法单晶生长与MOCVD外延工艺，建成全球首条6/8英寸氧化镓同质外延量产线，向头部芯片客户批量供货。

氧化镓被认为是第四代半导体的重要代表材料，具有超宽禁带、高击穿电场等优势，在新能源汽车、智能电网、光伏储能、轨道交通、AI算力中心、商业航天及国防等领域拥有广阔应用前景。

在晶体生长方面，公司自主研发全球首创的铸造法长晶技术，可稳定生长超厚氧化镓单晶，并结合自主超薄衬底加工工艺，使单块晶体的衬底出片量提升至原来的3至4倍。同时，该工艺大幅降低了贵金属铱的使用量，使衬底制造成本下降80%以上。

在外延制造方面，镓仁半导体针对6英寸（100）面氧化镓衬底开发了专用MOCVD外延工艺，成为全球首家实现6英寸氧化镓同质外延商业化供货的企业。其生产的同质外延片外延层厚度超过10微米，膜厚均匀性优异，厚度方差控制在1%以内。

目前，公司已获得多家海外企业及科研机构订单，部分合作客户已开展长期稳定采购。