
演讲嘉宾分享了SiC MOS 技术发展水平、产品路线图与应用场景,探讨了 SiC 器件的可靠性挑战与测试筛选方法,同时聚焦 SiC MOSFET 的热性能瓶颈,分享了双面散热等热管理解决方案;推出了针对 SiC超结器件的创新离子注入技术与专用离子注入设备,攻克了 SiC 器件制造中的成本高、层面对准难、离子源放电等行业痛点,助力 SiC 器件规模化量产。此外,还分享了薄膜沉积、激光微纳加工等半导体制造工艺的技术突破,以及超高压射频功率放大芯片的研发成果,为高端制造、新能源产业提供技术支撑;介绍了 SiC 衬底缺陷的全流程检测解决方案、光致发光光谱量测技术与设备,实现了宽禁带半导体量产中的精准缺陷检测与参数量测。论坛上,嘉宾分享了化合物半导体外延全解决方案,覆盖多材料体系,适配大尺寸晶圆量产需求,以设备创新推动产业向高集成、智能化发展;分享了大尺寸氧化镓衬底与外延的研发成果,独创长晶技术攻克多项行业难题,核心指标达到全球领先水平;推出了高压 GaN 功率变换器方案,适配高压直流电网架构,在 AI 数据中心、新能源、家电等多场景实现高效率、高功率密度的应用效果。从产业发展视角,嘉宾们分析了化合物半导体的技术发展趋势与装备创新方向,探讨了化合物半导体与激光技术的市场应用及半导体制造中的支撑作用,解读了 AI 时代化合物半导体的产业市场趋势与供应链发展需求,为行业差异化创新、适配 AI 时代发展需求提供方向指引。
本次大会聚焦 AI时代的产业需求,深入探讨了化合物半导体在光电子领域的技术突破、量产落地与多元场景应用,解锁光电子技术在智算、智能终端、高端装备等领域的应用潜力。演讲嘉宾分享了 VCSEL 技术在智算中心短距光互连、智能驾驶、机器人等领域的应用成果,以及该技术实现国产量产、突破海外垄断的重要进展;详解了 AR 衍射光波导的核心制备工艺与量产实力,展现了该技术在 AI+AR 下一代移动计算平台的应用价值;介绍了多结 VCSEL 技术的产品创新与车规级认证成果,以及其在车载 LiDAR、无人机等场景的落地应用。同时,嘉宾们还阐述了 GaAs、InP 基外延材料的技术突破,以及其在光通信、硅光模块、智能传感等领域的发展趋势;分享了锑化物超晶格红外探测技术的产业化成果,展现了该技术在航空航天、地面装备等领域的远距离感知优势。针对 AI 时代算力提升带来的电源与散热痛点,演讲嘉宾提出了从电网到芯片的高效电源解决方案,介绍了固态变压器的技术优势与市场应用,同时推出超高导热散热材料,为 AI 芯片、数据中心服务器破解散热瓶颈。此外,还有嘉宾分享了半导体制程中的电性 - 物性失效分析流程、涂胶显影设备的实时监测系统,通过自动化、智能化技术创新,实现半导体研发周期缩短、制程良率提升。

本次 2026 亚洲化合物半导体大会的圆满举办,汇聚了全产业链的智慧与力量,全方位展现了 AI 时代化合物半导体领域的最新技术成果与产业发展趋势,不仅为产业链上下游搭建了技术交流、资源对接的优质平台,更凝聚了产业协同创新的共识,为化合物半导体产业在 AI 时代突破技术瓶颈、实现规模化量产与高质量发展注入强劲动力,推动全球化合物半导体产业迈向新高度。