大半导体产业网消息，11月19日，三安光电在投资者互动平台表示，湖南三安已拥有碳化硅配套产能16,000片/月，后续扩产后配套年产能将达到36万片/年，目前8英寸碳化硅衬底已实现小批量出货，8英寸碳化硅芯片产线正在安装调试中。8月底重庆三安已实现衬底厂的点亮通线，产能处于起步阶段，目前产能1,000片/月。

据悉，重庆三安项目（系8英寸碳化硅衬底配套工厂）总投资约300亿元，是由三安光电和意法半导体合资建造，将建设一个技术先进的8英寸碳化硅衬底和晶圆工厂，全面整合8吋车规级碳化硅的衬底、外延、芯片的研发制造，以及为其提供碳化硅衬底的材料供应商。

湖南三安SiC项目总投资高达160亿人民币，旨在打造6吋/8吋兼容SiC全产业链垂直整合量产平台。项目达产后，将具备年产36万片6吋SiC晶圆、48万片8吋SiC晶圆的制造能力。预计到今年年度，M6B将实现点亮通线，8吋SiC芯片将正式投产，湖南三安半导体正式转型为8吋SiC垂直整合制造商。