氧化镓作为超宽禁带半导体核心材料，具备4.85eV禁带宽度与8MV/cm高击穿场强，是高端功率、射频及光电器件研发的关键基础材料，但传统生长方法依赖大量贵金属、成本高昂且与主流硅基产线不兼容。杭州镓仁半导体依托独创的“铸造法”，突破多物理场耦合控制、可控掺杂等关键技术，大幅减少贵金属铱用量，具有成本低、效率高、简单可控的技术优势。全球首发8英寸氧化镓单晶衬底，并以此荣获“SEMI可持续发展杰出贡献奖”，产品性能达到国际领先水平，填补国际大尺寸氧化镓单晶衬底领域空白。相比传统导模法，生产效率提升300%以上、材料成本降低60%，助力我国超宽禁带半导体从“跟跑”到“领跑”，为新能源汽车、智能电网、轨道交通、光伏风电储能、航空航天等领域提供关键材料支撑。

杭州镓仁半导体是国际首家掌握8英寸氧化镓单晶衬底制备技术的企业，仅用三年完成从2英寸到8英寸的跨越式迭代，创造尺寸快速迭代的行业纪录。