据报道，美光（Micron）计划在目前开发的1ε DRAM工艺中引入晶圆键合（wafer bonding），并在后续世代采用High-NA EUV光刻技术。公司还在开发垂直高带宽内存（vHBM）、垂直边缘推理内存（vEIM）和定制HBM（cHBM）产品，以满足特定应用需求。

目前，美光的1γ DRAM工艺已经进入大规模量产阶段，而其后续工艺1δ计划于2027年下半年进入量产。1δ承诺将位密度提高20%左右，并针对未来的AI内存产品进行了优化，包括HBM5、vHBM和vEIM。在1δ之后，美光计划在目前正在开发的1ε工艺中引入晶圆键合。然而，该公司尚未披露其打算如何实现晶圆键合，以及期望从该技术中获得哪些改进。

对于后续后续世代，美光计划在ζÅ工艺节点采用High-NA EUV光刻技术，这将使其第一个低于10nm级的DRAM节点。而在更后续的节点ηÅ中，美光计划使用新材料。该公司正在与Albany NanoTech（奥尔巴尼纳米技术综合体）合作开发制造技术，预计将在未来5-10年内使用这些技术。

美光的路线图还包括2代3D DRAM、3D1以及3D2，公司尚未公布这些产品的架构或推出时间。只有当3D DRAM在制造成本、复杂度和性能方面相较平面DRAM具备足够优势时，美光才计划推出该技术。

同样，美光尚未公布vHBM、vEIM或cHBM的商业化量产时间点。这些产品的开发表明，先进封装和处理器将紧密集成将在未来内存性能中发挥重要作用，需要DRAM制造商与逻辑芯片开发者共同协作。