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英飞凌宣布在300mm氮化镓生产路线图方面取得突破

来源:大半导体产业网    2025-07-04
英飞凌宣布其在300mm晶圆上的可扩展GaN生产已步入正轨,首批样品将于2025年第四季度向客户提供。

自英飞凌官微获悉,近日,英飞凌宣布其在300mm晶圆上的可扩展GaN生产已步入正轨,首批样品将于2025年第四季度向客户提供。

据悉,作为功率系统领域的领导者,英飞凌已经掌握全部三种材料的相关技术:硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。英飞凌科技氮化镓业务线负责人Johannes Schoiswohl表示,英飞凌全面扩大的300mm GaN生产规模将帮助公司更快地为客户提供更高价值的产品,满足他们对可靠的GaN电源解决方案的需求,同时推动实现Si和GaN同类产品的成本持平。

据了解,英飞凌已成为首家在现有大批量生产基础设施内成功开发出300mm GaN功率晶圆技术的半导体制造商。与现有的200mm晶圆相比,300mm晶圆上的芯片生产在技术上更加先进,效率也显著提高,因为更大的晶圆直径可使芯片生产效率提高2.3倍。